Архив метки: QLC 3D V-NAND

Близится выход серии накопителей Samsung 860 QVO с памятью QLC 3D V-NAND

Компания Samsung Electronics в ближайшем времени выведет на рынок линейку твердотельных накопителей 860 QVO, использующих микросхемы памяти с четырьмя битами на ячейку (QLC). Напомним, что о подготовке к релизу потребительских SSD на 64-слойных чипах QLC 3D V-NAND южнокорейский гигант объявил ещё в конце лета, а на днях новинки были замечены сразу в нескольких онлайн-магазинах.

Samsung наладила выпуск потребительских SSD с памятью QLC 3D V-NAND

Samsung Electronics объявила о старте массового выпуска потребительских твердотельных накопителей на базе памяти 3D V-NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC). Новые SSD вместимостью до 4 Тбайт выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма и, как утверждает южнокорейский гигант, по скоростным показателям не уступают аналогам с памятью TLC 3D V-NAND.

Samsung работает над накопителями с 96-слойной флэш-памятью QLC 3D V-NAND

Как мы сообщали в этом месяце, компания Samsung Electronics приступила к массовому производству 96-слойных микросхем флеш-памяти 3D V-NAND. Такие чипы призваны заменить существующую 64-слойную память 3D V-NAND и предложить лучшую энергоэффективность наравне с возросшей производительностью.